Максимально допустимые параметры

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=-60…+125 ⁰С.

Iк max – постоянный ток коллектора, А
Iк ,и max – импульсный ток коллектора, А
Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В
Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В
Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
При Тс=-60…+90 0С
При Тс=125 0С …
Т п мах - Температура перехода, 0С
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+125

При повышении температуры от 90 до 125 ⁰С допустимая мощность уменьшается линейно.

Рис1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией

Построение нагрузочной прямой по постоянному току

На семействе выходных характеристик построим нагрузочную прямую по постоянному току. Для предотвращения сильных нелинейных искажений и тепловой неустойчивости транзистора, а также уменьшения нестабильности параметров усилительного каскада, выбираем схему с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией рабочей точки, в которой используется отрицательная обратная связь по постоянному току. Тогда нагрузочная прямая строится по уравнению:

, где

Нагрузочную прямую строим по двум точкам:

1. При I_к=0, U_кэ = E_п = 15 В

Номинальное значение R_э=160 Oм.

2. При U_кэ=0,

Рис.2 Семейство выходных характеристик транзистора КТ201А

Рабочая точка выбирается посередине участка насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с выходной характеристикой (рис.2).

Рис.3 Входные характеристики транзистора КТ201А

Параметры режима покоя:

U_кэ⁰ = 8 В, I_к⁰= 7 мА, I_б⁰= 0,1 мА, U_бэ⁰= 0,76 В.

Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора R_э. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора R_э конденсатором большой емкости.

Определим величины резисторов R₁ и R₂:

Номинал R₁=22 кОм.

НоминалR₂=3,9 кОм.

Определение малосигнальных параметров транзистора

1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:

3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят .

Для повышения точности расчетов приращения ∆I_к , ∆I_б, ∆U_бэ, ∆U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.