Определение малосигнальных параметров транзистора

1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:

3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят

Для повышения точности расчетов приращения ∆I_к , ∆I_б, ∆U_бэ, ∆U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.

Определение величин эквивалентной схемы транзистора

Для расчета физических величин воспользуемся малосигнальной высокочастотной схемой транзистора - схемой замещения биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представленной на рис 4.

Рис.4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

2. Выходное сопротивление транзистора:

3. Сопротивление коллекторного перехода:

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

6. Распределение сопротивления базы:

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

8. Собственная постоянная времени транзистора:

9. Крутизна транзистора:

Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

Предельная частота в схеме с ОЭ:

Предельная частота в схеме с ОБ:

Предельная частота транзистора по крутизне:

Максимальная частота генерации:

Определение сопротивления транзистора по переменному току

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

;

Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке:

Рис5. Нагрузочная прямая по переменному току

Построение сквозной характеристики

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости I_к от U_бэ) представим в таблице:

Iб, мА		0,025	0,05	0,075	0,1	0,125	0,15
Iк, мА	0,2	1,2		4,5		7,8	9,4
Uбэ, В	0,47	0,63	0,65	0,66	0,67	0,68	0,69

Рис6. Сквозная характеристика транзистора.