Транзисторный ждущий мультивибратор (одновибратор)
Схема ЖМВ на транзисторах (рис. 9.9) отличается от схемы ЖМВ на ОУ как по принципу действия, так и топологически и, кроме того, по виду формируемых сигналов. Если генератор на ОУ формирует двухполярные сигналы, то его аналог на транзисторах – однополярные импульсы. Принцип действия транзисторного ЖМВ поясняет рис. 9.10.
Во время паузы между импульсами схема находится в устойчивом состоянии: транзистор VT1 закрыт, на его коллекторе потенциал практически равен ЕК. Транзистор VT2 открыт, потенциал на его коллекторе, а значит и выходной сигнал практически равен нулю (точнее, равен ΔUКЭ нас – напряжению между эмиттером и коллектором насыщенного транзистора). Делитель из сопротивлений и
включен между точкой с нулевым потенциалом и источником отрицательного напряжения −ЕБ. Средняя точка делителя, соединенная с базой транзистора VT1, поэтому также имеет отрицательный потенциал fд, что способствует поддержанию VT1 в режиме отсечки. Левая обкладка конденсатора С соединена с коллектором VT1, правая – с базой открытого транзистора VT2, имеющей нулевой потенциал, поэтому напряжение на конденсаторе С практически равно ЕК.
![]() |
Рис. 9.9 |
При подаче на вход схемы (т. е. в базу транзистора VT1) положительного импульса с амплитудой, превышающей имевшийся в этой точке отрицательный потенциал fд, транзистор VT1 начинает открываться. Потенциал его коллектора снижается из-за падения напряжения на RК1, вызванного появившимся коллекторным током IК1. Соответственно, снижается напряжение на левой обкладке конденсатора. Однако напряжение на конденсаторе мгновенно измениться не может, поэтому потенциал правой обкладки становится отрицательным, что вызывает частичное закрывание транзистора VT2. В результате закрывания VT2 потенциал его коллектора растет и делитель оказывается включенным уже не между нулем и минусом, а между плюсом и минусом. Потенциал базы транзистора VT1 становится устойчиво положительным (и по окончании импульса запуска), поэтому транзистор VT1 открывается сильнее. В результате в схеме возникает лавинообразный процесс, результатом которого является полное открывание VT1 и полное закрывание VT2.
![]() |
Рис. 9.10 |
Начинается формирование импульса, амплитуда которого равна потенциалу коллектора VT2, примерно равному ЕК (точнее, Uвых = ЕК – (IК0 + + Iдел + Iн)RК2, где IК0 – ток неосновных носителей заряда в транзисторе, Iдел – ток через делитель –
, Iн – ток нагрузки). Одновременно начинает перезаряжаться конденсатор, который стремится поменять свою полярность на противоположную (теперь его левая обкладка соединена с коллектором открытого транзистора VT1, т. е. практически с нулем, а правая – с базой закрытого транзистора VT2). Перезаряд идет по трассе RБ2–С–открытый VT1, постоянная времени τ = СRБ2. Когда в процессе перезаряда напряжение на конденсаторе доходит до нуля, то на базу VT2 перестает подаваться запирающее транзистор отрицательное напряжение и транзистор VT2 открывается. Импульс заканчивается, схема самопроизвольно переходит в устойчивое состояние в результате нового лавинообразного процесса, в ходе которого VT2 полностью открывается, а VT1 полностью закрывается. Длительность импульса, формируемого транзисторным ЖМВ, составляет τи = 0,7СRБ2. Амплитуда импульса примерно равна ЕК,точнее она равна Uвых = ЕК – (IК0 + Iдел + Iн)RК2 – ΔUКЭ нас. При увеличении нагрузки генератора и росте Iн амплитуда импульсов уменьшается.
По окончании импульса процессы в ЖМВ продолжаются. Конденсатор был разряжен, и его заряд происходит по трассе RК1–С–открытый VT2 за время 2,3RК1С. Тот факт, что потенциал коллектора VT1 не сразу после закрытия транзистора принимает значение ≈ ЕК, в ЖМВ не является недостатком, так как выходной сигнал снимается с коллектора другого транзистора.