Основные характеристики и параметры фототранзисторов

Вольт-амперные характеристики фототранзистора напоминают выходные характеристики обычного транзистора в схеме ОЭ, но параметром здесь служит не ток, а световой поток Ф. Крутой начальный участок этих характеристик соответствует режиму насыщения: при малых Uкэ коллекторный переход, как и в биполярном транзисторе, за счет накопления дырок в коллекторе открывается. Наклон характеристик к оси абсцисс в их пологой части объясняется, так же как и для биполярного транзистора, эффектом модуляции ширины базы.

Энергетические характеристики фототранзисторов, как и фотодиода, линейны. С увеличением напряжения фототок несколько увеличивается вследствие модуляции ширины базы.

Спектральные характеристики аналогичны подобным характеристикам фотодиодов

Частотные свойства фототранзисторов определяются в основном диффузионным движением носителей в базе прибора и процессами заряда емкостей переходов. С увеличением частоты модуляции светового потока фототок уменьшается так же, как и в фотодиодах.

Параметры. Фототранзисторы; так же как фоторезисторы и фотодиоды, используются в качестве фотодетекторов — приборов для обнаружения и регистрации световых сигналов. Поэтому для характеристики работы фототранзистора в качестве фотодетектора используются те же параметры, что и для фоторезисторов: пороговый поток Фп, обнаружительная способность D и др.

Одним из важнейших параметров фототранзистора служит коэффициент усиления по фототоку фототранзистора — отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого р-п перехода, измеренному в диодном режиме.

Вольтовая чувствительность

Тоновая чувствительность фототранзистора — это отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.

75. Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры

Фоторезистор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.

Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Для регистрации инфракрасного излучения используются Ge (чистый или легированный примесями Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус.

Конструктивно фоторезистор представляет пленку ПП и отводы

Важнейшие параметры фоторезисторов:

- чувствительность — отношение приращения выходной величины к входной

- граничная частота – частота сигнала модулируемого световым потоком, при котором чувствительность изменяется в корень из 2 раз

- температурный коэффициент.

Основные характеристика:

3) ВАХ

4) Энергетическая характеристика

76. Устройства отображения информации: назначение, классификация.

Применяются где нужно визуальное отображение.

2 класса устройств:

1. на основе излучательной способности. ЭЛТ, люминесцентные

2. пассивные ЖК, электрохромные индикаторы

Индикаторы бывают цифровыми, буквенно-цифровыми, шкальными.

Также различают сегментные и матричные (знако-синтезирующие матрицы).

По напряжению: низковольтовые (до 5В); средневольтовые (до 30В), высоковольтовые (более 30В).