Прямосмещенный p-n переход

Если к p-области подсоединить положительный полюс внешнего источника напряжения, а к n-области - отрицательный, такое включение p-n перехода получило название прямого смещения p-n перехода.

В этом случае под действием внешнего электрического поля основные носители заряда начнут перемещаться в сторону p-n перехода. На рис. 6 представлены схема включения p-n перехода в прямом направлении и диаграмма распределения потенциала вдоль p-n перехода.

 
  Прямосмещенный p-n переход - student2.ru

Рис.6

На рис.6 обозначено: Uпр - напряжение внешнего источника, приложенного к p-n переходу в прямом направлении (прямое смещение p-n перехода); Eвн - напряженность внешнего электрического поля;
1 - распределение потенциала вдоль p-n перехода в равновесном состоянии;
2 - распределение потенциала вдоль p-n перехода при прямом смещении;
lo - ширина p-n перехода в равновесном состоянии; lпр - ширина p-n перехода при подаче прямого напряжения Uпр.

При подаче внешнего напряжения на p-n переход изменяется его ширина, что видно из потенциальной диаграммы рис.6. При этом ширина прямосмещенного p-n перехода находится из выражения

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru ,

где Прямосмещенный p-n переход - student2.ru - ширина p-n перехода в равновесном состоянии.

Из потенциальной диаграммы рис.6 следует, что при прямом смещении высота потенциального барьера снижается и становится равной

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru .

Это приводит к резкому увеличению тока диффузии через переход:
iD=iDp+iDn, так как все больше основных носителей заряда оказывается способными преодолеть меньший потенциальный барьер. В несимметричном p-n переходе ток диффузии создается в основном потоком дырок из p-области в n-область, так как встречный поток электронов мал и им можно пренебречь: (Nа=1018см-3)>>(NД=1015см-3); iDp>>iDn. При этом в n-области существенно возрастает концентрация избыточных неосновных носителей заряда - дырок, перешедших из p-области. Это образование избыточной концентрации носителей заряда получило название инжекции.

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru Прямосмещенный p-n переход - student2.ru Инжекцией называется процесс нагнетания носителей заряда в полупроводник, для которого они являются неосновными носителями заряда.

Область, инжектирующая носители заряда, называется эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет низкое удельное электрическое сопротивление. Область, в которую инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется базой. База меньше легирована примесями и имеет бо¢льшее значение удельного электрического сопротивления.

В области базы инжектированные из эмиттера дырки за счет наличия градиента концентрации распространяются вглубь базы, рекомбинируют с электронами базы, при этом концентрация дырок уменьшается, приближаясь к равновесной.

Закон изменения концентрации дырок в базе описывается функцией

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru ,

где pn - концентрация дырок в базе; p - равновесная концентрация дырок в базе; Lp - диффузионная длина дырок в базе; Dp - избыточная концентрация дырок на границе базы с p-n переходом. График зависимости концентрации дырок в базе представлен на рис.7. Избыточная концентрация дырок в базе является функцией приложенного прямого напряжения: Dp=f(Uпр). На рис.7 точка А соответствует диффузионной длине дырок в базе.

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru Прямосмещенный p-n переход - student2.ru

Отрезок, на котором избыточная концентрация неосновных носителей заряда (дырок) уменьшается в e (2,72…) раз вследствие рекомбинации, называется длиной диффузии (Lp).

 
  Прямосмещенный p-n переход - student2.ru

Рис.7

Прямосмещенный p-n переход - student2.ru
Энергетическая диаграмма p-n перехода при прямом смещении приведена на рис.8.

Рис.8

При прямом смещении уровень Ферми полупроводника в
n-области смещается вверх относительно его положения в p-области на величину, равную e×Uпр. Соответственно на эту же величину снижается высота энергетического барьера. При этом дрейфовая составляющая тока
p-n перехода не изменяется, так как условия перехода неосновных носителей заряда через p-n переход остаются теми же, что и в равновесном состоянии, то есть переход неосновных носителей заряда происходит в ускоряющем электрическом поле p-n перехода. Из-за снижения высоты энергетического барьера количество переходов основных носителей заряда в тормозящем электрическом поле p-n перехода будет резко увеличиваться, а, следовательно, возрастает диффузионная составляющая тока перехода.

Наши рекомендации