Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на кремниевом транзисторе КТ208Л. Транзистор типа КТ208Л - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

1) Электрические параметры:

    Наименование Обозна- чение Значения Режимы измерения
min типов-ое max Характеристики используемого транзистора - student2.ru Характеристики используемого транзистора - student2.ru , мА Характеристики используемого транзистора - student2.ru , мА f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА Характеристики используемого транзистора - student2.ru     UКБ max      
Обратный ток эмиттера, мкА (при Характеристики используемого транзистора - student2.ru ) Характеристики используемого транзистора - student2.ru            
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В Характеристики используемого транзистора - student2.ru     0,4    
Напряжение насыщения база- эмиттер, В Характеристики используемого транзистора - student2.ru     1,5    
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при нормальной рабочей температуре:   при Тс= +125 0С:   при Тс= - 600С:   h21Э     20                                                       0,27     0,27   0,27
Модуль коэффициента передачи тока на высоких частотах /h21Э/ 4,5   0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ Характеристики используемого транзистора - student2.ru        
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0,5 В) Характеристики используемого транзистора - student2.ru          
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц Характеристики используемого транзистора - student2.ru fгр        

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=+250…+125 0С.

Характеристики используемого транзистора - student2.ru - Постоянный ток коллектора, А. 0,3
IК max - Импульсный ток коллектора, А (Гарантируется h21Э ≥ 6, Характеристики используемого транзистора - student2.ru ≤0.7 B, Характеристики используемого транзистора - student2.ru ≥0.1 A) 0,5
IБ max – постоянный ток базы, А   0,1
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M)
UКЭ max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£100 Ом),В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M)
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В (Гарантируется h21Э ≥ 6, Характеристики используемого транзистора - student2.ru ≤0.7 B, Характеристики используемого транзистора - student2.ru ≥0.1 A)
PК max - Постоянная рассеиваемая мощность, мВт
Допустимая температура окружающей среды, 0С -600…+1250С


Характеристики используемого транзистора - student2.ru

Рис. 1. Схема цепи питания и стабилизации

режима работы транзистора

Описание схемы:

Входной сигнал UВХ подается на базу транзистора через конденсатор СБ. Усиленный сигнал UВЫХ снимается с резистора RК и через конденсатор СК подается в нагрузку. Конденсатор СБ исключает влияние источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному току. Конденсатор СК исключает влияние нагрузки на режим работы транзистора по постоянному току.

Конденсаторы СБ и СК называют переходными или разделительными. В первом случае подчеркивается их роль по переменному току,а во втором случае – по постоянному току. Режим работы транзистора по постоянному току задается делителем напряжения в цепи базы RБ1, RБ2 и сопротивлением RЭ в цепи эмиттера. Делитель напряжения должен быть достаточно низкоомным, чтобы возможные в процессе эксплуатации изменения тока базы транзистора (например, при изменении температуры окружающей среды, смене транзистора и т. п.) не приводили к заметному изменению напряжения на базе транзистора. На практике ток делителя IД = E/(RБ1 + RБ2) выбирают в 3÷10 раз больше тока базы. Чем больше ток делителя, тем стабильнее будет режим работы транзистора по постоянному току, но тем меньше будет входное сопротивление каскада и больше потребляемый ток. Резистор RЭ служит для стабилизации режима работы транзистора. Стабилизирующее действие резистора RЭ объясняется тем, что падение напряжения на нем является напряжением отрицательной обратной связи. Конденсатор в цепи эмиттера СЭ устраняет обратную связь по переменному току, что предотвращает снижение коэффициента усиления.


Наши рекомендации