Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов

4.1.1. Выбрать схему измерения для определения передаточных характеристик.

4.1.2. По заданию преподавателя установить постоянное значение напряжения на стоке.

4.1.3. Для каждого образца записать измерения в таблицу рабочей тетради и построить графики.

4.1.4. Сравнить полученные результаты и сделать вывод.

Сравнение выходных характеристик различных транзисторов

4.2.1. Выбрать схему измерения для определения выходных характеристик.

4.2.2. Установить постоянное напряжение затвор-исток и добиться отображение кривой на характериографе.

4.2.3. Для каждого образца записать измерения в таблицу рабочей тетради и построить графики.

4.2.4. Сравнить полученные результаты и сделать вывод.

Исследование семейств передаточных характеристик транзисторов

4.3.1. Выбрать схему измерения для определения передаточных характеристик.

4.3.2. Для заданного преподавателем образца измерить семейство (3-4 кривых) передаточных характеристик при различном значении напряжения на стоке транзистора.

4.3.3. Рассчитать крутизну передаточной характеристики по формуле (1.3).

4.3.4. Построить семейства графиков крутизны передаточных характеристик от напряжения затвор-исток.

4.3.5. Сделать выводы.

Исследование семейств выходных характеристик транзисторов

4.4.1. Выбрать схему измерения для определения выходных характеристик.

4.4.2. Для заданного преподавателем образца измерить семейство (3-4 кривых) выходных характеристик при различном значении напряжения на затворе транзистора.

4.4.3. Рассчитать сопротивление канала по формуле Rканал = Uc / Ic исследуемого образца.

4.4.4. Рассчитать дифференциальное сопротивление канала исследуемого образца по формуле (1.7).

4.4.5. Сделать выводы по полученным результатам.

Определение термостабильной точки передаточной характеристик транзисторов

4.5.1. Выбрать схему измерения для определения передаточных характеристик.

4.5.2. По заданию преподавателя выбрать образец и установить значение напряжения на стоке.

4.5.3. Построить семейство передаточных характеристик (3-4 кривых) при различных значениях температуры.

Примечание. Для повторения температурных измерений нужно ждать, пока остынет нагреватель.

4.5.4. Определить термостабильную точку по семействам передаточных характеристик.

4.5.6. Сделать выводы по полученным результатам.

Сформировать и отпечатать отчет

Отчет должен содержать:

· схему измерения;

· расчетные формулы;

· графики экспериментальных и расчетных данных;

В отчете необходимо дать выводы по полученным результатам и сопоставить их со справочными данными.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?

2. Как с помощью полевого транзистора происходит преобразование энергии относительно мощного источника питания выходной цепи в энергию электрических колебаний?

3. Почему свойства и характеристики полевых транзисторов следует описывать системой уравнений, в которых токи являются функциями напряжений, а не наоборот?

4. Какие физические факторы могут влиять на характер зависимости тока стока от напряжения на стоке полевого транзистора с управляющим переходом?

5. Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора?

6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами? Как это отличие отражается на статических характеристиках передачи и каковы специфические параметры тех и других полевых транзисторов?

7. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Распределение зарядов при различных напряжениях на затворе.

8. Каков принцип действия приборов с зарядовой связью?

9. Какие существуют разновидности структур секции переноса приборов с зарядовой связью?

10. Каков смысл основных параметров прибора с зарядовой связью?

11. Какие факторы влияют на эффективность переноса информационного заряда в приборе с зарядовой связью?

12. Каковы основные применения приборов с зарядовой связью?

ЛИТЕРАТУРА

1. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / В. В.Пасынков, П.К.Чиркин., А.Д.Шинков – М.: Высш. шк., 1981.

2. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. ПСтепаненк.. – М.: Сов. радио, 1980.




ПРИЛОЖЕНИЕ А

КНОПКИ ПАНЕЛИ УПРАВЛЕНИЯ И ИХ
СООТВЕТСТВИЕ КОМАНДАМ МЕНЮ

Меню Подменю Кнопки Значения
Рабочая тетрадь Новая Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Создать новую запись о «Рабочей тетради» в базе данных.
Открыть Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Открыть существующую в базе данных «Рабочую тетрадь».
Удалить Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Удалить запись о «Рабочей тетради» в базе данных. Эта команда доступна только тогда, пока не открыта ни одна «Рабочая тетрадь», т.е. только сразу же после запуска приложения.
Открыть отчет Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Открыть существующий или создать новый отчет. Команда доступна только при открытой «Рабочей тетради».
Закрыть отчет Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Команда доступна только при открытом отчете.
Выход Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Выход из приложения.
Инструменты Параметры копирования нет Вызывает диалог представления графиков при копировании (в виде растра или в виде метафайла). Выбор представления зависит от возможностей Вашего принтера и определяется экспериментально.
Упорядочить Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Возвращает окна всех инструментов в их положение по умолчанию.
Справка Содержание Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Запускает этот файл справки.
О программе Сравнение передаточных характеристик различных транзисторов - student2.ru Выводит справочное окно «О программе».

Наши рекомендации