Редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов

онтрольное задание 1

В первом задании необходимо определить параметры нелинейной модели Эберса –Молла и линейной модели Джиаколетто.

Расчет параметров модели Джиаколетто должен быть проведен по справочным данным и исходя из режима работы транзистора по постоянному току. Рабочая точка транзистора определяется для схемы, представленной в таблице 2.1.

Таблица 1.1 – Типы используемых транзисторов

Номер варианта
Транзистор n-p-n КТ312А КТ385А ГТ330А КТ316А КТ340А
Транзистор p-n-p ГТ305В КТ345B ГТ321А ГТ320А КТ360А

Продолжение таблицы 1.1

Номер варианта
Транзистор n-p-n КТ316Б КТ340Б ГТ330В ГТ311Ж KT306A
Транзистор p-n-p КТ363Б КТ363А ГТ308А КТ380А КТ370А

1.1 Методика определения параметров нелинейной модели биполярного транзистора Эберса –Молла.

Эквивалентная схема нелинейной модели биполярного транзистора

Эберса-Молла изображена на рисунке 1.1.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Исходными данными для расчета параметров модели являются: статические коэффициенты передачи тока в схеме с общим эмиттером редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и h редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , модуль коэффициента передачи тока редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru на высокой частоте, постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , напряжение насыщения U редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , время рассасывания t редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , емкость эмиттерного перехода С редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , емкость коллекторного перехода С редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , а также условия измерения этих параметров. Кроме того, необходимы входные и выходные характеристики транзистора I редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru = f(U редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru ) редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и I редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru =f(U редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru ) (рисунок 1.2).

В результате расчета требуется определить прямой редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и инверсный редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru коэффициенты передачи по току в схеме с общей базой, ток насыщения I редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , омические сопротивления базы r редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , эмиттера r редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и коллектора r редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , прямое редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и инверсное редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru время пролета носителей через базу, барьерную емкость эмиттерного С редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и коллекторного С редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru переходов при нулевых смещениях на переходах.

Указанные параметры определяются в следующей последовательности.

Вычисляется среднегеометрическое значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.1)

Определяется значение редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.2)

По выходным характеристикам транзистора (см. рисунок 1.2) определяется омическое сопротивление коллектора:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.3)

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Вычисляется инверсный коэффициент передачи:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.4)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru токи, при которых измеряется редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru температурный потенциал. При Т = 293К редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru 0,026 В.

Определяются значения барьерных емкостей при нулевых смещениях:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.5)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru - напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах, при которых производились измерения емкостей редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (находятся по справочникам); редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – коэффициенты, характеризующие крутизну вольт-фарадных характеристик переходов ( редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru для транзисторов , изготовленных по диффузионной технологии, и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru для транзисторов , изготовленных по сплавной технологии); редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru –контактная разность потенциалов, для кремния равная 0,8...1,0 В.

Граничная частота усиления в схеме с ОЭ равна:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.6)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – частота, на которой произведено измерение редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Вычисляется среднее время полета в прямом включении редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.7)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – ток коллектора,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru –емкости эмиттерного и коллекторного переходов при измерении редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Для определения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru находят ток базы транзистора, соответствующий режиму измерения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.8)

По входной характеристике находят напряжение редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , которое соответствует заданной величине редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . Значения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru вычисляются по формулам :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.9)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru - напряжение коллектор-база, при котором измерялась величина редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . При этом необходимо учесть, что редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru > 0 , а редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru < 0.

Постоянная времени рассасывания редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru вычисляется через время рассасывания редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.10)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – режимы измерения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , определяемые по справоч-никам. Если ток рассасывания редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru в справочнике не указан, его можно принять редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Определяется среднее время пролета в инверсном включении редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru из следующего соотношения:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.11)

Вычисляется объемное сопротивление базы редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.13)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru - емкость коллекторного перехода, соответствующая режиму измерения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (определяется по формуле, аналогичной (1.9)).

По справочным данным определить редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru не представляется возможным, поэтому для транзисторов малой мощности можно принять редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru Ом, а средней и большой мощности - редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Для определения теплового тока насыщения редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru задаемся величиной базового тока редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru мА. По входной характеристике редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru при редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (см. рисунок.1.2) находим значение редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru соответсвующее выбранному току и вычисляем редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru по формуле

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.13)

1.2 Методика определения параметров линейной модели биполярного транзистора Джиаколетто.


Предположим, что принципиальная схема усилителя имеет вид, представленный на рисунке 1.3.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Рисунок 1.3 – Принципиальная схема усилительного каскада

Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке.

Рассчитать ток делителя в базовых цепях транзисторов:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.14)

Здесь редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – сумма сопротивлений последовательно включенных резисторов в базовой цепи.

Определить потенциалы баз транзисторов по формуле

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.15)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – суммарное сопротивление резисторов, включенных между базой и общим проводом.

Найти потенциалы эмиттеров транзисторов по формуле

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.16)

Напряжение редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru выбирается в интервале 0,5…0,7 В для кремниевых транзисторов и 0,3…0,4 В для германиевых транзисторов.

Рассчитать ток в резисторе , подключенном к эмиттеру транзистора:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.17)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – сопротивление в цепи эмиттера.

Рассчитать ток коллектора в рабочей точке:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.18)

Определить напряжение на коллекторе в рабочей точке

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru (1.19)

и напряжение коллектор-эмиттер

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.20)

Напряжение на коллекторном переходе равно

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.21)

В нашем случае

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru мА.

Через резистор R1 протекает базовый ток , имеющий небольшое значение, поэтому падением напряжения здесь можно пренебречь и потенциал базы определить по приближенной формуле

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru В.

Потенциал эмиттера транзистора равен

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru В ,

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – принятое значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Постоянный ток эмиттера равен току в резисторе R4

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru мА.

Ток коллектора в рабочей точке

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru мА,

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – коэффициент передачи по току транзистора.

Напряжение коллектор-эмиттер равно

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru В ,

а напряжение база-коллектор –

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru В.

1.3 Линейная модель биполярного транзистора Джиаколетто.

Эквивалентная схема линейной (малосигнальной) модели типа n-p-n Джиаколетто в активном режиме изображена на рисунке 1.4.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Исходные данные для расчета те же, что и для модели Эберса-Молла. В результате расчета требуется определить: дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , крутизну S управляемого источника I, омическое сопротивления базы редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и коллектора редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , дифференциальное сопротивление коллектор-эмиттер редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , а также емкости переходов коллектор-база редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и база-эмиттер редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Параметры элементов модели Джиаколетто определяются исходя из справочных данных и режима транзистора по постоянному току.

Определяется дифференциальное сопротивление эмиттера редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.22)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – температурный потенциал,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – постоянная Больцмана,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – температура переходов транзистора в кельвинах,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – заряд электрона,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – поправочный коэффициент, зависящий от технологии изготовления транзистора,

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – ток коллектора в рабочей точке.

При комнатной температуре редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Коэффициент редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru для транзисторов , изготовленных по диффузионной технологии, и редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru для транзисторов , изготовленных по сплавной технологии).

Крутизна управления редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru определяется по формуле

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.23)

Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru равно

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , (1.24)

где редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru – коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером

(формула 1.1).

Емкость коллекторного перехода определяется по формуле (1.9). Напряжение на переходе определяется из статического режима транзистора.

Емкость эмиттерного перехода редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru определяется через предельную частоту усиления редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru транзистора:

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.25)

В справочниках приводятся частота редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru или частота единичного усиления редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , которые связаны соотношением

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.26)

Сопротивление коллектор- эмиттер редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru транзистора определяется по выходным характеристикам (см. рисунок 1.2,б):

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.27)

Если выходных характеристик нет, то сопротивление редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru можно определить через напряжение Эрли редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru :

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru . (1.28)

Напряжение Эрли для транзисторов типа p-n-p составляет 40-150 В, а для транзисторов типа n-p-n – 80-200 В.

Объемное сопротивление базы редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru определяется по формуле (1.12).

онтрольное задание 2

Во втором задании необходимо составить математическую модель усилительного каскада.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов

Для включения элемента в модель схемы в базисе узловых потенциалов необходимо, чтобы его уравнение имело вид

(2.1)
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Однако многие элементы схем описываются уравнениями, отличными от i=f(u) вида. Такие элементы считаются неудобными для составления модели схем в базисе узловых потенциалов. К ним относятся идеальные источники тока и напряжения I и E, а также управляемые источники вида i=f(i), u=f(i), u=f(u). Для неудобных элементов существует ряд приемов, позволяющих представить их уравнения в виде i=f(u). Наиболее простым и универсальным является включение в ветвь с неудобным элементом дополнительных элементов - последовательных малых сопротивлений или параллельных малых проводимостей.

При формировании матрицы Y схемы проводимость y=di/du каждого двухполюсника i=f(u), включенного между узлами р и j, должна записываться в качестве слагаемых на четырех позициях матрицы Y: со знаком «+» на диагональных позициях рр, jj в составе собственных узловых проводимостей YPP, YJJ и со знаком «–» на позициях pj, jp, расположенных симметрично относительно диагонали, в составе взаимных узловых проводимостей и YPJ, YJP:

.
(2.2)
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Заметим, что если один из узлов двухполюсника - опорный (“общий”), то проводимость y двухполюсника учитывается лишь в одном элементе матрицы Y - в собственной проводимости Yrr, где r - незаземленный узел двухполюсника.

Как известно из теории цепей, для управляемого источника вида i2=f(u1) матрица узловых проводимостей имеет вид

,
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru
(2.3)

где p и q - номера узлов управляемой ветви, m и n - номера узлов управляющей ветви, причем m и p - начальные, а n и q - конечные узлы; S=di2/du1 - крутизна источника. Как видим, на пересечении однонаправленных номеров узлов (оба начальные или оба конечные) крутизна записывается со знаком «+», а на пересечении разнонаправленных - со знаком «–». Это же правило действует и при составлении матриц других управляемых источников.

Рассмотрим примеры составления математических моделей усилителя переменного тока, принципиальная электрическая схема которого изображена на рисунке 2.1.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Для анализа статического режима (т.е. режима по постоянному току при значении входного переменного напряжения равном нулю Uвх=0) электрическая схема усилителя упрощается за счет исключения реактивных элементов: катушки индуктивности заменяются короткозамыкающими перемычками, а конденсаторы разрывами электрических цепей.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Источник питания В заменяется его эквивалентной схемой, состоящей из источника э.д.с. Еп и резистора Rп, моделирующего внутреннее сопротивление источника питания В(рисунок 2.2).

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Далее транзистор VT заменяется его эквивалентной схемой, а источник питающего напряжения преобразуется в эквивалентный источник тока IП (рисунок 2.3).

Здесь используется упрощенная модель биполярного транзистора Эберса-Молла для активного режима.

Размерность матрицы узловых проводимостей математической модели схемы для постоянного тока определяется числом узлов схемы (рисунок 2.3) (N=6). С целью упрощения математической модели размерность матрицы можно сократить до N=4, так как потенциалы узлов 5 и 6 равны U5=U6=0 (рисунок 2.3).

Начальные (н) и конечные (к) узлы подключения управляющего напряжения и управляемого источника тока определяются в соответствии с рисунком 2.4.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru Управляющим напряжением для управляемого источника тока I1 является напряжение между внутренней базой и эмиттером UБ/Э (разность потенциалов между узлами 2 и 4 (см. рисунок 2.3)), причем начальным узлом является узел 2 , как имеющий больший потенциал, а начальным узлом управляемого источника тока I1 - узел 3.

Значение крутизны S1 управляемого источника тока записывается в четырех ячейках матрицы узловых проводимостей, находящихся на пересечении столбцов 2, 4 и строк 2, 3 , причем знак “+” записывается на пересечении строк и столбцов, номера которых соответствуют начальным (столбец 2 - строка 3) и конечным (столбец 4 - строка 2) узлам. На остальных пересечениях значение крутизны S1берется с знаком “–“.

(3.4)
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Проводимость эмиттерного перехода GЭ записывается на пересечении строк и столбцов 2, 4, причем на пересечении строк и столбцов с одинаковыми номерами проводимость берется с знаком “+”, а в других случаях - со знаком

“–“.

Аналогично записываются в матрицу проводимости всех остальных элементов.

Ток IЭ через эмиттерный переход связан с напряжением на нем соотношением

(3.5)
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Отсюда проводимость GЭ эмиттерного перехода равна

(3.6)
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru ,

(3.7)
а крутизна S1 управляемого источника I1 -

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Вектор независимых источников тока определяется источниками питания, действующими в схеме. В нашем случае значение тока равно Iп=Eп/Rп и в вектор оно записывается в строке 3 (источник питания подключен между 3 и 0 узлами) со знаком “+”, поскольку ток от источника питания в узел 3 втекает. Если бы ток из узла вытекал в источник питания, то его значение в вектор независимых источников тока записалось бы со знаком “–“.

(3.8)  
Таким образом, математическая модель схемы, приведенной на рисунке 2.3, принимает вид

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Эквивалентная схема усилителя по переменному току для линейного (малоcигнального) режима изображена на рисунке 2.5. Она получается из исходной схемы (рисунок 2.1) при замене источника питания короткозамыкающей перемычкой, поскольку для переменного тока выводы источника постоянного напряжения эквипотенциальны.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

 

Рисунок 2.5 - Эквивалентная схема усилителя (рисунок 2.1) по переменному току

Далее, как и в случае статического режима, транзистор заменяется его эквивалентной схемой (рисунок 2.6). Здесь использована малосигнальная модель транзистора Джиаколетто. В этой модели источником управляющего напряжения для управляемого источника тока I является падение напряжения на сопротивлении редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , создаваемое источником переменного сигнала. Правила записи элементов в матрицу узловых проводимостей и вектор независимых источников точно такие же, как и в случае составления математической модели для статического режима.

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Рисунок 2.6 - Эквивалентная схема математической модели усилителя (рисунок 2.1) по переменному току

Математическая модель схемы по переменному току для малосигнального режима имеет вид

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Параметры модели транзистора, записываемые в матрицу узловых проводимостей, определяются по результатам расчета статического режима транзистора. Ток источника сигнала определяется по формуле IГ=EГ/RГ.

2.2 Выполнение задания

Вариант каскада, напряжение питанияи тип транзистора те же, что и в первом контрольном задании.

Изобразить полную принципиальную схему устройства, подключив к ней источник сигнала и нагрузку.

Источник сигнала представляет источник переменной ЭДС с амплитудой EГ = 1 мВ, частотой f =10 кГц и внутренним сопротивлением RГ = 1кОм. Нагрузка состоит из параллельно включенных резистора RН = 1кОм и конденсатора СН = 100 пФ. Нагрузка подключается к выходу усилителя через разделительный конденсатор СР = 10 мкФ. Указать на схеме позиционные обозначения всех элементов и их номинальные значения, например редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru , редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru .

Таблица 2.1 – Принципиальные схемы усилителей

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru  
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Продолжение таблицы 2.1

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru
редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Изобразить эквивалентную схему каскада по постоянному току .

Изобразить эквивалентную схему математической модели каскада , включив в него модель транзистора (упрощенную модель Эберса-Молла), аналогично рисунку 2.3. Пронумеровать узлы схемы.

Составить математическую модель схемы в базисе узловых потелциалов.

Изобразить эквивалентную схему каскада по переменному току .

Изобразить эквивалентную схему математической модели каскада , включив в него модель транзистора (модель Джиаколето), аналогично рисунку 2.6. Пронумеровать узлы схемы.

Составить математическую модель схемы в базисе узловых потелциалов.

Литература

1. Автоматизация схемотехнического проектирования / Под ред. В. М. Ильина. – М.: Радио и связь, 1987.

2. Шатило, Н.И. Основы автоматизации проектирования радиоэлектронных устройств: Учебно-методическое пособие для студентов специальности «Радиотехника» заочной формы обучения. В 3-х ч., ч.2. – Минск: БГУИР, 1998.

3. Шатило, Н.И. Компьютерное моделирование устройств телекоммуникаций : Лабораторный практикум для студентов специальности «Сети телекоммуникаций » – Минск: ВГКС, 2005.

4. Амелин, М.А. Программа схемотехнического моделирования Micro-Cap 8 / М.А. Амелин, С.А. Амелина. – М.: Горячая линия – Телеком, 2007.

5. Алексеев, О.В. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств / О.В.Алексеев, А.А Головков. – М.: Высшая школа, 2000.

6. Фидлер , Дж. К. Машинное проектирование электронных схем / Дж. К. Фидлер , К. Найтингейл. – М.: Высшая школа, 1985.

7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981.

Содержание

Введение…………………………….………………………………….……3

1 Контрольное задание 1………………………………… ……………..…..4

2 Контрольное задание 2………………………………………………...….12

Литература………………………………………………………………...…22

Учебное издание

ОБЪЕКТНО-ОРИЕНТИРОВАННОЕ ПРОГРАММИРОВАНИЕ

И ПРОГРАММНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ТЕЛЕКОММУНИКАЦЦИЙ

Методические указания и контрольные задания

для студентов специальности 1- 45 01 03 «Сети телекоммуникаций»

заочной формы обучения

Составитель

ШатилоНиколай Иванович

Редактор

Корректор

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Подписано в печать 30.05.2008. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная.

Гарнитура «Таймс». Печать ризографическая. Усл. печ. л.

Уч.-изд. л. . Тираж 100 экз. Заказ

редставление элементов схемы в базисе узловых потенциалов - student2.ru

Издатель и полиграфическое исполнение: Учреждение образования

«Высший государственный колледж связи»

Наши рекомендации