Одноимпульсный способ обработки.

В тех случаях, когда отверстие может быть получено в результате воздействия одиночного импульса лазерного излучения и к точности размеров отверстия не предъявляется жестких требований, применяется одноимпульсный способ обработки.

Для определения размеров получаемого отверстия можно использовать приведенные ранее формулы. При этом энергию импульса, необходимую для получения отверстия с заданными размерами, можно определить через удельную энергию разрушения и объем удаленного из отверстия вещества:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

где d и h – размеры отверстия.

3. Лазерная резка.

В этой технологической операции используются физические процессы, которые наблюдаются на стадии разрушения при взаимодействии лазерного излучения с веществом. То есть в случае лазерной резки используются явления интенсивного испарения и уноса расплава газовой струей, возникающей при соответствующих параметрах лазерного излучения.

Особенности физических процессов лазерной резки.

При лазерной резке пульс лазерного излучения сфокусирован в круговое пятно одноимпульсный способ обработки. - student2.ru и движется по поверхности материала со скоростью одноимпульсный способ обработки. - student2.ru . Сфокусированное пятно является источником тепла, температурное поле которого определяется двумя факторами:

а) временем теплонасыщения образца(т.е. нагревания материала до установившейся температуры) одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

б) временем прохождения пятном излучения расстояния, равного радиусу пятна одноимпульсный способ обработки. - student2.ru .

Если одноимпульсный способ обработки. - student2.ru (или одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ), то источник тепла следует считать медленно-движущимся.

В этом случае наибольшая температура достигается в центре движущегося пятна. Она практически оказывается равной температуре в центре неподвижного пятна и определяется по формуле:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

При одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ( одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ), то есть при увеличении скорости перемещения луча, точка максимальной температуры сдвигается к краю пятна в сторону противоположную направлению движения. Для быстродвижущегося источника, когда одноимпульсный способ обработки. - student2.ru справедлива следующая формула одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Анализ технологических параметров лазерной резки показывает, что для полупроводников ( одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ) на практике чаще возникает первый режим нагревания материала, соответствующий медленно-движущемуся источнику тепла.

В этом случае максимальная температура на поверхности зависит также и от толщины материала h, если время перемещения луча одноимпульсный способ обработки. - student2.ru будет меньше времени прогрева материала одноимпульсный способ обработки. - student2.ru . В этом случае выравнивания температуры по толщине материала максимальная температура определяется по формуле одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Откуда видно, что при получении требуемой для резки температуры плотность мощности излучения должна линейно возрастать с увеличением толщины материала h. При этом температура и необходимая плотность мощности слабо зависят от скорости движения луча.

При лазерной резке неметаллических материалов и тонких металлических пленок из-за малой теплопроводности среды ( одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ), как правило, выполняется условие одноимпульсный способ обработки. - student2.ru , то есть имеет место режим нагревания, соответствующий быстро-движущемуся источнику тепла. Согласно приведенной выше формуле максимальной температуры для такого случая, плотность мощности лазерного излучения, необходимая для резки, почти не зависит от толщины материала и с увеличением скорости движения одноимпульсный способ обработки. - student2.ru возрастает пропорционально одноимпульсный способ обработки. - student2.ru .

Лазерная резка может быть основана на различных процессах разрушения: испарение материала, плавление с удалением расплава из зоны разреза, некоторых химических реакциях: окисление, горение, разложение с выделением летучих веществ.

Методы и технологические параметры лазерной резки.

Промышленная лазерная установка для резки материалов имеет конструкцию схематично представленную на рисунке:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Давление газа обычно составляет 1,5-3 атм., диаметр выходного отверстия сопла до 5-8 мм, расстояние от края сопла до поверхности не более диаметра выходного отверстия.

Параметрами лазерной резки являются: Р-мощность излучения, плотность мощности-q, одноимпульсный способ обработки. - student2.ru -скорость резки, h-толщина материала.

Рассмотрим значения технологических параметров лазерной резки материалов при различных способах (режимах).

Лазерная резка путем испарения.

Лазеоная резка путем испарения требует наибольших удельных энергетических затрат. При этом можно оценить энергию лазерного излучения, достаточною для испарения материала на глубину h за время одноимпульсный способ обработки. - student2.ru прохождения расстояния, равного ширине разреза одноимпульсный способ обработки. - student2.ru , изсходя из обьема удаленного вещества и удельной энергии разрушения:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru (Дж)

Тогда минимальная мощность лазерного излучения определяется:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru (Вт)

Откуда видно мощность излучения, необходимая для осуществления резки материала прямо пропорциональна одноимпульсный способ обработки. - student2.ru , h, одноимпульсный способ обработки. - student2.ru .

Получение глубоких разрезов сопряжено с образованием достаточно большого количества расплава и его неполным удалением. В этом случае сквозной разрез может заплавиться. Поэтому на практике часто применяют устройства для удаления продуктов разрушения из зоны разреза.

Для получения более точных представлений о взаимосвязях технологических параметров при лазерной резке необходимо расчет этих параметров выполнять изходя из характеристик температурного поля вещества при воздействии лазерного излучения.

Такой расчет может быть выполнен с использованием приведенных выше формул для определения температуры материала при воздействии на него движущегося пятна излучения. Были получены формулы для определения минимальных значений плотности и мощности излучения при ширине разреза, равной диаметру пятна одноимпульсный способ обработки. - student2.ru . Здесь различают два случая:

в первом случае одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Где одноимпульсный способ обработки. - student2.ru - температура разрушения.

Т.о. необходимая для разрезания мощность излучения пропорциональна одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

2-ой случай - одноимпульсный способ обработки. - student2.ru ( одноимпульсный способ обработки. - student2.ru )

В этом случае необходимо учитывать, что в процессе резки освещается не круговая площадка радиусом одноимпульсный способ обработки. - student2.ru на поверхности материала, а движущаяся наклонная поверхность разреза площадь которой примерно равна одноимпульсный способ обработки. - student2.ru . Необходимая мощность излучения определяется по формуле:

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Таким образом, при резке материалов толщиной одноимпульсный способ обработки. - student2.ru необходимая мощность возрастает приблизительно пропорционально h. При резке толстых материалов одноимпульсный способ обработки. - student2.ru мощность зависит от толщины более сильно в пределе пропорционально одноимпульсный способ обработки. - student2.ru .

Качественная зависимость мощности от одноимпульсный способ обработки. - student2.ru и одноимпульсный способ обработки. - student2.ru , выраженная приведенными формулами, хорошо соответствует экспериментальным зависимостям при резке самых различных материалов. Однако, с количественной точкм зрения, погрешность этих формул может достигать 50 %. Поэтому они имеют характер приближенных оценок, отражающих основные взаимосвязм между технологическими и физическими параметрами процесса. Приближенный характер формул обьясняется неучетом некоторых факторов: охлаждающего действия струй, изменения отражательной способности материала в процессе разрушения.

Точные значения технологических параметров обычно определяют экспериментально. При этом скорость резки достигает нескольких ( много десятков) метров в 1 минуту. Глубина разреза до нескольких см.

Газолазерная резка

Специфические особенности возникают при использовании технологии резки материалов непрерывным излучением СО2 –лазера с поддувом газа (при так называемой газолазерной резке (ГЛР)). Наибольшее применение получает ГЛР с поддувом кислорода. При этом струя кислорода выполняет тройную функцию. Сначала кислород способствует предварительному окислению металла и уменьшению его отражательной способности. В результате возрастает поглощение энергии лазерного излучения. Затем происходит воспламенение и горение металла в среде кислорода. Тепло этой реакции усиливает термическое действие лазерного излучения. И, наконец, струя газа сдувает и уносит из зоны (ГЛР) разреза расплав и продукты горения, а также резко сокращает время остывания материала. В результате удается получить чистый, качественный разрез значительно большей глубины, чем в отсутствии поддува.

При лазерной резке неметаллических материалов, особенно органических, содержащих в своем составе углерод, воспламенение и горение в кислороде отрицательно сказывается на качестве лазерной резки. В этом случае применяется поддув воздуха или инертных газов ( СО2, N2, Ar, He). При этом газовая струя в основном используется для удаления продуктов разрушения из области разреза.

Применение газолазерной резки с использованием кислорода позволяет увеличить скорость резания и глубину разреза более, чем на порядок и уменьшить ширину разреза , по сравнению с лазерной резкой ,путем испарения при одинаковой мощности излучения. Благодаря охлаждению области разреза и высокой скорости резания , зона термического влияния изменения структуры материала имеет малую величину – не более 0,05-0,02 мм. Качественно взаимная связь параметров технологического процесса имеет такой же характер , как и в случае резки путем испарения. Количественно значения обычно определяют экспериментально. Особенностью газолазерной резки является зависимость скорости резки от давления газа (О2) в сопле.

Качественно эта зависимость имеет одинаковый характер для металлов и неметаллов, и имеет вид, показанный на рисунке.

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Как видно из рисунка, скорость резания быстро изменяется при давлениях до двух атмосфер и слабо при давлениях выше этого значения.

Показателями эффективности использования энергии излучения при резке путем испарения и при газолазерной резке являются:

Ø Погонная энергия резания (затраченная энергия на единицу длины разреза):

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

Ø Удаленная энергия резания(затраченная энергия на удаление единицы массы вещества):

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

b- ширина разреза ; ρ- удельный вес.

Численные значения колеблются в очень широких пределах в зависимости от материала и условий резки.

одноимпульсный способ обработки. - student2.ru

На практике стремятся к снижению одноимпульсный способ обработки. - student2.ru и одноимпульсный способ обработки. - student2.ru путем подбора оптимального сочетания параметров технологического процесса (Р, rф, q, b).

Для этой цели в некоторых случаях оказывается целесообразным применение сформулированного пятна эллиптической формы, вытянутого в направлении разреза.

Результат лазерной резки обычно оценивают по таким показателям как ширина разреза, качество и форма кромки. По этим показателям лазерная резка превосходит другие виды резки (т.е. получается минимальная ширина и чистая, ровная кромка).

Лазерное скрайбирование

Для резки хрупких материалов, например, стекла, ситалла, керамики, полупроводников из кремния и германия, применяется скрайбирование. При этом на поверхности разрезаемого материала лазерным лучом наносится неглубокий надрез или царапина с последующим разламыванием по линии надреза.

Такой метод резки получил широкое применение в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем (разламывание пластин из кремния, ситалла). В результате существенно повышается качество и процент выхода годных изделий.

Наши рекомендации