Параметры хлоридного процесса эпитаксии

Для выращивания эпитаксиального кремния применяются различные исходные кремнийсодержащие реагенты: тетрахлорид кремния SiCl4, трихлорсилан SiHCl3, дихлорсилан SiH2Cl2, моносилан SiH4 и даже дисилан Si2H6. Наиболее широко используют тетрахлорид кремния, поскольку изучен он лучше других. Рассмотрим на его примере химические процессы, протекающие в газовой фазе эпитаксиального реактора.

Суммарная реакция водородного восстановления кремния из его тетрахдорида

SiCl4 + 2Н2 « Si + 4HCl­

не отражает полного механизма и не позволяет прогнозировать результаты процесса. Механизм этой реакции включает целый ряд промежуточных и конкурирующих стадий, например:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.1)

Практически все указанные выше исходные реагенты возникают в процессе водородного восстановления кремния. Поэтому часто термодинамический анализ, позволяющий определить состав газовой фазы и направление протекания процесса в целом, проводят для обобщенной системы Si – Н – С1, определяя лишь изначально величину параметра х, равного соотношению гипотетических давлений неконденсирующихся атомов, т.е. хлора и водорода:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , (3.2)

где pCl, pH– соответствующие значения гипотетического давления атомов, равные сумме парциальных давлений компонентов газовой фазы, содержащих данный атом, с учетом стехиометрических коэффициентов, или

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.3)

а также для атомов кремния Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , где Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , а отношения гипотетических давлений атомов обозначают для неконденсирующихся атомов

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru ,

а с участием конденсирующегося кремния

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Термодинамический анализ начинают с определения констант равновесия возможных реакций в интересующем диапазоне температур. Для этого по справочным данным (табл. 3.1) рассчитывают значения свободной энергии Гиббса, т.е.

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru

или

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru ,

где с учетом заданного значения температуры

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru ,

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Таблица 3.1

Исходные данные для расчета констант равновесия реакций (3.1)

Компонент Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , ккал/моль Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , ккал/моль×град Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , ккал/моль×град
А В/10 С*10-5
HCl -22,0 44,65 6,27 1,24 0,30
H2 0,0 31,21 6,52 0,78 0,12
Si 0,0 4,5 5,70 0,70 -1,04
SiH4 7,3 48,87 15,38 4,88 -6,35
SiH3Cl -34,0 59,85 14,13 7,65 -3,82
SiH2Cl -75,0 58,47 20,34 2,58 -5,86
SiHCl3 -116,9 74,85 22,79 1,43 -4,76
SiCl4 -156,7 79,01 25,39 0,23 -3,51
SiCl2 -38,2 67,4 13,62 0,22 -1,26

В дальнейших расчетах учитывают не все возможные соединения кремния. Для упрощения вычислений компонентами, имеющими парциальные давления ниже 0,1 Па, пренебрегают (например, SiH, Si2, Si3, Si2Cl6, SiCl). Для оставшихся компонентов газовой фазы определяют число независимых химических реакций, которое равно разнице между числом компонентов в системе в целом r и числом атомов в этой системе e:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Например, если для термодинамического анализа отобраны компоненты SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, SiCl2, HC1, H2, то с учетом конденсирующегося кремния r =8, е = 3 и для проведения термодинамического анализа требуется пять линейно независимых реакций, т.е. таких, которые не могут быть получены линейной комбинацией других (сравните с уравнениями (3.1)).

Например:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.4)

Пять уравнений закона действующих масс для этих реакций составят систему пяти уравнений с семью неизвестными парциальными давлениями. Систему уравнений дополняют уравнением постоянства давления в системе Si – Н – С1 и условием постоянства соотношения давлений неконденсируемых атомов x = const, характерным для изобарических процессов. Это означает, что величина x на входе в реактор, равная 4m/2(100 - m), при заданной концентрации тетрахлорида кремния в исходной ПГС, равной m %, не изменится и в реакционной зоне (см. (3.2), (1.3)) и будет равна величине x на выходе из реактора:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Таким образом, система уравнений примет вид

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru

Это позволит определить равновесные парциальные давления компонентов газовой фазы через заданное значение x, известные значения констант и парциальное давление одного из компонентов, например, через p7:

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.5)

или

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.6)

Итоговое квадратное уравнение (1.6) относительно p7 позволяет определить парциальные давления p1 ¸ p6, а по полученным значениям p1 ¸ p7 рассчитать равновесный выход кремния в процессе b, который определяется как отношение количества атомов кремния в конденсированной Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru фазе к исходному количеству в ПГС Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru :

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Если число атомов кремния в момент равновесия считать равным Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru , то в конденсированной фазе окажется и

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru ,

тогда

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Число атомов кремния в исходной ПГС удобно выразить через соответствующее количество атомов Cl (например, для тетрахлорида кремния на 1 атом кремния приходится 4 атома хлора), так как последний не конденсируется и

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru ,

а

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru или Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru (3.7)

где

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru .

Очевидно, что если в равновесной ПГС у < 0,25, то происходит осаждение кремния, если же у > 0,25, - травление кремния.

Результаты термодинамического анализа представляют в виде номограмм (например, рис. 3.1) или зависимостей парциальных давлений компонентов газовой фазы от температуры, давления, параметра x и т.п.

Однако далеко не всегда эпитаксиальный процесс описывается равновесной реакцией. Поэтому необходимо учесть, что расчеты равновесной термодинамики указывают лишь на наиболее вероятную картину. В табл. 3.2 приведены результаты расчетов равновесного парциального давления компонентов газовой фазы для суммарного давления в системе 1 атм и для x = 0,1.

Параметры хлоридного процесса эпитаксии - student2.ru

Рис.3.1 Обобщенные результаты термодинамического анализа системы Si – Cl – H

Наши рекомендации