Методика измерений и обработка результатов

Для исследования характеристик и параметров используется либо стенд, в котором собраны все необходимые источники питания, либо схема с внешними источниками питания, в качестве которых использованы источники типа ЛИПС (лабораторный источник питания стабилизированный).Электрическая схема приведена на рис.20 и непосредственно на установке.

На стенде собраны две схемы: верхняя для измерения характеристик p-n-p, нижняя –для n-p-n транзисторов. Переключатель «p-n-p, n-p-n» переключает измерительные приборы и источники питания из одной схемы в другую. Исследуемые транзисторы можно подключать к клеммам только при среднем положении переключателя.

Выполните одно из заданий, предложенных преподавателем.

Задание№1.

1. Измерить выгодные характеристики Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при 3 различных базовых токах Методика измерений и обработка результатов - student2.ru . Токи выбирать самим при условии 50 мкА< Методика измерений и обработка результатов - student2.ru <400 мкА. При измерении тщательно следить за постоянством тока базы.

2. Измерить входные характеристики Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при 3 значениях коллекторного напряжения Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , причем одно на них должно быть равно 0, а два других выбрать самим в пределах 0,5В< Методика измерений и обработка результатов - student2.ru <6В.

3. Построить графики на миллиметровой бумаге.

4. Из выходных характеристик рассчитать дифференциальный коэффициент усиления по току

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

не менее 3 раз и привести средний результат.

5. Из входных характеристик на линейном участке рассчитать сопротивление прямого перехода ( Методика измерений и обработка результатов - student2.ru –сопротивление эмиттер –база). Поскольку в предложенной схеме (рис.20) вольтметром измеряется падение напряжения на прямом переходу плюс на амперметре, то

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru ;

где сопротивление амперметра Методика измерений и обработка результатов - student2.ru определяется по максимальному падению напряжения на данном пределе, указанному на конкретном приборе.

6. Из выходных характеристик рассчитать сопротивление обратного перехода база –коллектор Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

Расчет выполните для всех характеристик.

7. В выводах привести < Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru для 3 характеристик. Обсудить полученные результаты.

Задание №2.

1. Измерить входные характеристики

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru и Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

2. Измерить выходные характеристики

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru =50 мкА и 160 мкА;

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru и 200МВ.

3. Построить графики на миллиметровой бумаге.

4. Из входных характеристик рассчитать Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (см. п.6 в задании №1).

5. Из выходных характеристик Методика измерений и обработка результатов - student2.ru рассчитать сопротивление обратного перехода Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (см.п.6 в задании №1) и Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (дифференциальный коэффициент усиления) не менее 3 раз.

Сравните выходные характеристики, снятые при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , с характеристиками при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru .

6. Из выходных характеристик Методика измерений и обработка результатов - student2.ru рассчитать крутизну транзистора S

Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

7. В выводах привести: < Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru ,S. Обсудите полученные результаты.

Задание №3.

1. Измерить выходные характеристики Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при двух значениях Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (например, 150 и 300 мкА).

2. Измерить входные характеристики Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

3. Измерить зависимость Методика измерений и обработка результатов - student2.ru при Методика измерений и обработка результатов - student2.ru

4. Построить все графики на миллиметровой бумаге.

5. Из выходных характеристик рассчитать Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (см. п. 6 в задании №1) в обоих случаях.

6. Из входных характеристик рассчитать сопротивление прямого перехода Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (см.п.5 в задании №1).

7. Из зависимости Методика измерений и обработка результатов - student2.ru рассчитать интегральный коэффициент усиления Методика измерений и обработка результатов - student2.ru и построить на миллиметровой бумаге зависимость Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (точек 10-12 во всем возможном интервале изменения Методика измерений и обработка результатов - student2.ru ).

8. В выводах привести Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru , Методика измерений и обработка результатов - student2.ru (для двух токов базы).

Контрольные вопросы.

1. Что такое транзистор p-n-p и n-p-n типа?

2. Перечислить технологические особенности устройства транзистора.

3. Нарисовать схему включения транзистора как усилителя.

4. Что такое дифференциальный и интегральный коэффициент усиления?

5. Что такое входные и выходные характеристики транзистора?

6. Перечислить основные физические параметры транзистора.

7. Как рассчитать коэффициент усиления в простейшей схеме усилителя?

Список литературы.

1. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1979.

2. Фистуль В.И.. Введение в физику полупроводников. М.:Высш. шк., 1984.

3. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник/Под ред. Н.Н.Горюнова. 2-е изд., перераб. М.:Энергоатомиздат, 1985.

[1] Инжекция (от латинского injectic –вбрасывание, впрыскивание) –проникновение избыточных носителей заряда в полупроводник под действием поля.

Наши рекомендации