Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах МДП (КМДП)

T_н – транзистор с индуцированным р-каналом.

Т_У – транзистор с индуцированным n-каналом.

Условия работы схемы:

Если на выходе “1”, то ток через транзисторы не протекает транзисторы в статике не потребляют энергии.

I_c

U_зи1= Е_п

I_c2»0 U_зи2=0

U_си1

Е_п

Передаточная характеристика:

U_вых - уменьшилось.

Переходные процессы.

С_н заряжена до напряжения Е_п (в точке В)

С_н разрядилась (в точке D)

С_н заряжается до напряжения Е_п (в точке F)

т.к.

Самая быстродействующая схема. После подачи входного импульса сразу открывается канал Т1 и Сн начинает разряжаться (сначала с постоянным током , а потом по нелинейному закону) формируется фронт 10. По окончании входного импульса Т1 закрывается и открывается Т2. Емкость Сн перезаряжается (сначала постоянным током , а потом по нелинейному закону) формируется фронт 01.

10 – Сн разряжается от “1” до “0” нет потребления энергии от источника питания. 01 – Сн заряжается от “0” до ”1” потребляется энергия от источника питания.

Логические интегральные схемы.

Обозначения:

КР133ЛА1А:

Ø К (либо есть, либо нет): если есть схема для общего применения

если нет схема специального применения

Ø Р говорит о технических особенностях(либо есть, либо нет) : корпус – пластмассовый (Р) или металлический (F) или (Е)

Ø 133(три цифры) – серия микросхемы.

Ø ЛА (две буквы) – функциональное назначение (ЛА – схема “И-НЕ”, ТМ – триггер и т.д.)

Ø 1(одна или 2 цифры) – порядковый номер в данной серии.

Ø Аговорит об отличии в электрических параметрах (либо есть, либо нет).

Основные параметры логических схем:

n -нагрузочная способность – то максимальное количество таких же схем, которое можно подключить к выходу данной схемы с сохранением работоспособности.

m -число входов– коэффициент объединения по входу.

U_п -помехоустойчивость – два последовательно включенных элемента, между которыми находится генератор помех. - максимальная помеха, при которой схемы работают нормально.

t_зр-среднее время задержки распространения.

Р_ср-средняя мощность потребления

А-работа переключения сравнительный параметр качества.

Основные характеристики:

Измеряемые параметры:

Классификация по технологии изготовления.

по типу транзистора:

Ø биполярная технология (ТТЛ, ЭСТЛ, ИИЛ)

Ø полевая технология (n-МОП, p-МОП, КМОП)

по сложности (оценивают число элементарных инверторов(N)):

Ø простые интегральные схемы N<10 (ИС)

Ø схемы средней интеграции N<100 (CИC)

Ø большие интегральные схемы N<1000 (БИС)

Ø сверхбольшие интегральные схемы N<10000 (СБИС)

Схемы с транзисторно-транзисторной логикой