Эквивалентная схема замещения диода

Прохождение сигналов через линейные цепи.

Сигналы:

1. Аналоговые (линейные) U_вых(t) = f(U_вх) (синусоида)

2. Цифровые (импульсные)

Характеристики этих сигналов.

		Ku(jw) =     H(t) =
	. Ки

Ku(jw) = K(w) - АЧХ j(w) - ФЧХ

U_вх(t) U_вых(t)

H(t)

U_вх(t) U_вых(t)

Прохождение линейных сигналов через простейшие RC-цепи.

1.

	Uвх(t) = Umsinw t Uвх = Um

;

;

АЧХ: ; ; ;

;

ФЧХ:

LH = 20 lgH; [LH] = дб   20 lg = - 3 дб (w = wн)   LH = 20 lgH(w) = 20 lgw - 20 lg wн = 20x – b   x b

wн – частота, при которой коэффициент передачи уменьшится в раз.   wн = 2pfн Þ

2.

АЧХ: ;

;

ФЧХ:

	w = wв Þ H(w) =   wв – верхняя граничная частота, при которой H(jw) уменьшается в раз Þ полоса пропускания [0, wв].

	LH = 20 lgH(w); w = wв Þ LH = 20 lg = -3 дб

Прохождение импульсных сигналов через простейшие RC-цепи.

1.

;

,

;

Длительность выходного импульса зависит от постоянной времени цепи (t) и до 3t импульс можно считать » 0.

Если на вход RC-цепи подать импульс, длительность которого >> 3t, то такая цепь будет называться дифференцирующей цепью. Если же длительность входного импульса << 3t, то конденсатор выполняет роль разделительного конденсатора Þ на выходе импульс, повторяющий входной импульс, но только со спадом плоской вершины (D).

,

т.к. - абсолютный спад плоской

вершины

- относительный спад плоской вершины

Связь между f_н и спадом плоской вершины.

;

;

2.

Пусть при . Определим .   (*)

Подадим на вход прямоугольный импульс (до этого рассматривалась “ступенька”).

- передний фронт импульса - спад или задний фронт импульса   Оценим эти фронты По формуле (*) определим t2, t1.   ,

Связь между f_в и t_ф.

; ;

;

Активные элементы.

Полупроводники.

Основные полупроводники – Si (IV) и Ge (IV)

Si (IV)

Si – B (III)

	Увеличение примесей приводит к увеличению количества «дырок».   Примесь, которая приводит к значительному увеличению числа «дырок» называетсяаксепторной. Сам полупроводник называется полупроводником р-типа. «Дырки» в этом полупроводнике являются основными носителями.

Si – P (V)

Чем обусловлен ток в полупроводнике:

Ø Ток , проникающий в результате воздействия напряженности (напряжения) электрического поля E(U) называется дрейфовым током.

средняя скорость

коэф. подвижности «дырок»

проводимость «дырок»

дрейфовый ток концентрация

«дырок» «дырок»

Ø Ток, протекающий под действием градиента концентрации носителей, называется диффузным.

коэф. диффузии

p

x

Р - n переходы.

Процесс занятия свободной «дырки» электроном, называется рекомбинацией. «Дырка» становится нейтральной.

p-n переход осуществляется под действием градиента концентрации.

Eo будет препятствовать свободным дыркам из р перемещаться в n и электронам из n перемещаться в р.

Приложим к полупроводнику прямое напряжение.

сопротивлениезапирающего слоя

Приложим обратное напряжение.

Электроны и «дырки» не могут перемещаться из n в р и из p в n соответственно, так как . Возможно только движение неосновных носителей («дырки» из n в р и электроны из p в n) – это есть малый тепловой ток.

j_т=25 мВ – тепловой потенциал.

Диод.

В основу диода положен p – n переход

	При увеличении увеличивается скорость свободных электронов. При попадании в ядро они образуют пару «дырка – электрон», что приводит к увеличению обратного тока и последующему пробою диода.

Эквивалентная схема замещения диода.

Cбар – барьерная емкость Cдиф – дифференциальная емкость Rут – сопротивление утечки   пренебрегаем площадь p-n перехода ширина запирающего слоя - важно при переменном токе