Гальваническое влияние по контурам заземления

На рис. 3.9, а показаны два прибора Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru и Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru , пространственно разделенные друг от друга. Они могут находиться в одном или разных зданиях. По условиям техники безопасности корпусы приборов должны быть заземлены. Имеющийся контур полезного сигнала также заземляется в двух местах, у приборов. Между точками 1 и 2 может возникнуть разность потенциалов, обусловленная током в контуре заземления, например током замыкания на землю или током молнии (на рис. не показано). Эта разность потенциалов Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru вызывает ток помехи Ist. На внутреннем сопротивлении входной цепи прибора ZS возникает напряжение помехи Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru , наложенное на входной сигнал. При синусоидальной форме напряжения напряжение помехи рассчитывается по формуле (рис. 3.9, б):

Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru

При этом предполагается, что полное сопротивление линии Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлениями Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru .

Если Zs » ZQ, то Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru а при Zs = ZQ Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru .

Мероприятия по снижению влияния по цепям заземления заключаются в снижении разности потенциалов U12 за счет уменьшения сопротивления между точками 1 и 2 (рис. 3.9.).

Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru

Рис. 3.9. Гальваническое влияние через замкнутую петлю заземления: а - схема устройства; б – схема, поясняющая формирование напряжения помехи Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru

Это достигается, например, выполнением пола в виде проводящей эквипотенциальной поверхности F (рис. 3.10, а), соединение приборов массивными проводниками РА (рис. 3.10,б) или же экранированием сигнальных линий с заземлением экранов

Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru

Рис. 3.10. Снижение гальванического влияния при помощи заземленной плоскости (а) или массивного проводника РА, соединяющего точки заземлений приборов G1 и G2 (б)

у обоих концов , а также уменьшением тока Ist. Для этого существует ряд возможностей. Одной из них является| разделение контуров заземления, например прибора G1 (рис. 3.11, а). Однако при этом между сигнальным контуром и корпусом прибора остается емкостная связь Zc. В

Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru

3.11. Гальваническое влияние через разомкнутую петлю заземлений:

а - схема устройства; б - схема, поясняющая формирование напряжений помехи Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru .

этом случае (рис. 3.11) возникает напряжение помехи Ust, величина которой зависит от сочетания сопротивлений ZC, ZL, ZQ, ZS и может быть найдена путем расчета согласно электрическому расчету.

При Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru и Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru , а при Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru и Гальваническое влияние по контурам заземления - student2.ru . Это означает, что эффективная защита возможна лишь при постоянном напряжении и низких частотах. При высоких частотах петля заземления практически замкнута, ситуация может быть такой же, какая показана на рис. 3.9.

Емкостное влияние

Причиной емкостного влияния могут быть паразитные, т.е. неустранимые схемным путем, емкости между проводами или проводящими предметами, принадлежащими разным токовым контурам. Практический интерес представляют следующие слу­чаи:

-влияющий и испытывающий влияние контуры гальванически разделены;

-оба контура имеют общий провод системы опорного потен­циала;

-провода токового контура имеют большую емкость относи­тельно земли.

Наши рекомендации