Различные полупроводниковые приборы

Тиристоры, их разновидности, структура и принцип работы. Терморезисторы и болометры, принцип действия, характеристики и параметры.

ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ № 1

Таблица выбора варианта контрольной работы № 1

Таблица 1

Две последние цифры шифра

Номер вари- анта

Номера задач

Две последние цифры шифра

Номер варианта

Номера задач

или

Задача 1

Опишите общие сведения и строение кристаллической решетки химически чистых полупроводников.

Задача 2

Опишите структуру и энергетические диаграммы примесных полупроводников.

Задача 3

Опишите явления тепловой генерации в собственном полупроводнике и тепловой ионизации в примесном полупроводнике.

Задача 4

Опишите явления ударной и световой генерации и рекомбинации в полупроводнике.

Задача 5

Опишите свойства электронно-дырочного перехода при подключении внешнего напряжения в прямом и обратном направлениях.

Задача 6

Поясните, что представляют собой барьерная и диффузионная емкости электронно-дырочного перехода.

Задача 7

Укажите виды пробоя электронно-дырочного перехода. Поясните явление теплового пробоя электронно-дырочного перехода.

Задачи 8—22

Пользуясь вольтамперной характеристикой полупроводникового диода (рис. 1), определить сопротивление диода постоянному току при прямом напряжении U_np и обратном напряжении U_о6_p. Пояснить влияние температуры на величины прямого и обратного сопротивлений диода. Перечислить основные типы полупроводниковых диодов, указав их особенности и область применения.

Числовые значения исходных данных приведены в табл. 2.

Таблица 2

Исходные данные						Номера задач

U_np. В	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,7	0,6	0,5	0,4	0,3	0,2	0,8	0,9
U_обр, В

Различные полупроводниковые приборы - student2.ru

Задачи 23—42

Заданы семейства входных и выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2, 3 в зависимости от варианта). Необходимо:

а) в заданном семействе выходных характеристик построить нагрузочную прямую для сопротивления нагрузки R_к и напряжения источника питания Е_к;

б) на нагрузочной прямой обозначить рабочую точку покоя при токе базы I_бо и определить графически статические параметры транзистора h₂₁ и h₂₂

в) определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя Р_ко, и сравнить ее с допустимой Р_{к доп};

г) изобразить графики изменения тока и напряжения в коллекторной цепи при заданной амплитуде тока базы I_б_m. Определить амплитуды тока I_к_m и напряжения U_к_m в коллекторной цепи;

д) в заданном семействе входных характеристик обозначить рабочую точку покоя при токе базы К_бо и определить графически статический параметр транзистора h₁₁;

е) изобразить график изменения входного напряжения при заданной амплитуде тока базы I_б_m _. Определить амплитуду входного напряжения U_б_m;

ж) рассчитать коэффициенты усиления транзистора по току К_т, напряжению К_н и мощности К_м, а также полезную мощность Р _вых ,выделяющуюся на нагрузке;

з) начертить схему подключения транзистора к источникам питания.

Различные полупроводниковые приборы - student2.ru

Численные значения исходных данных приведены в табл. 3.

Таблица 3

Номера задач	Тип транзистора	Номер рисунка	Исходные данные
Е _к, В	R _н, кОм	I _бо, мА	I _б_m, мА	Р_{к доп} мВт
	КТ312А			0,8	0,3	0,3
	КТ312А			0,64	0,4	0,4
	КТ312А			0,91	0,4	0,3
	КТ312А			0,76	0,2	0,2
	КТ312А			0,72	0,4	0,2
	КТ312А			0,68	0,3	0,2
	КТ312А			0,87	0,2	0,1
	КТ312А			0,64	0,4	0,3
	КТ312А			0,88	0,4	0,3
	КТ312А			0,6	0,4	0,4
	МП115			4,0	0,3	0,2
	МП115			3,8	0,2	0,1
	МП115			4,1	0,3	0,3
	МП115			3,2	0,2	0,2
	МП115			5,2	0,3	0,1
	МП115			2,6	0,2	0,1
	МП115			4,6	0,3	0,2
	МП115			4,0	0,3	0,3
	МП115			3,2	0,2	0,2
	МП115			4,0	0,3	0,2