Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена

1) Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru ;

2) Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru ;

3) Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru , Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена - student2.ru .

70. Импульсный режим работы биполярного транзистора – это режим работы биполярного транзистора с

1) малыми сигналами прямоугольной формы;

2) сигналами большой амплитуды и малой длительности;

3) сигналами малой длительности.

Длительность переднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

1) временем пролета носителей через базу, накопления заряда в базе;

2) емкостью коллекторного перехода;

3) падением напряжения на сопротивлении базы.

Длительность заднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

1) временем рассасывания избыточного заряда в области базы;

2) временем перезаряда емкости эмиттерного перехода;

3) временем перезаряда емкости коллекторного перехода.

На ухудшение усилительных свойств биполярного транзистора на высоких частотах оказывают влияние

1) емкость эмиттерного перехода;

2) емкость коллекторного перехода;

3) емкость коллекторного перехода и инерционность перемещения носителей через область базы.

На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет емкость

1) эмиттерного перехода;

2) коллекторного перехода;

3) оба перехода влияют одинаково.

Лучшими частотными свойствами обладает

1) дрейфовый биполярный транзистор;

2) бездрейфовый биполярный транзистор;

3) оба обладают одинаковыми частотными свойствами.

Емкость коллекторного перехода на выходное сопротивление биполярного транзистора влияет следующим образом

1) выходное сопротивление с ростом частоты растет;

2) выходное сопротивление биполярного транзистора с ростом частоты уменьшается;

3) выходное сопротивление не зависит от частоты.

Лучшими частотными свойствами обладает схема

1) с общей базой;

2) с общим эмиттером;

3) частотные свойства не зависят от схемы включения биполярного транзистора.

Менее подвержена влиянию температуры

1) схема с общим эмиттером;

2) схема с общей базой;

3) схема с общим коллектором;

4) все схемы реагируют одинаково.

79. Шум в биполярном транзисторе – это

1) беспорядочное изменение тока в цепях транзистора;

2) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

3) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

4) беспорядочное изменение тока в цепи коллектора.

Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются

1) дробовой эффект и тепловые флуктуации;

2) шум рекомбинации;

3) шум беспорядочного разделения.

Наши рекомендации