Транзистор на рисунке включен по схеме

1) ОБ;

2) ОЭ;

3) ОК.

4) по нестандартной (инверсной) схеме.

34. Один из усилительных каскадов называется "эмиттерный повторитель". Это каскад

1) ОБ;

2) ОЭ;

3) ОК.

4) дифференциальный каскад.

35. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от однополярного источника Е_П, справедливо неравенство

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

36. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от двухполярного источника ± Еп, справедливо неравенство

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

37. Максимальный КПД (Р_нагр/Р_общ) имеет усилитель, работающий

1) в режиме А;

2) в режиме В;

3) в режиме АВ.

Схема усилителя, приведенная на рисунке, называется

1) дифференциальный усилитель;

2) инвертирующий усилитель;

3) неинвертирующий усилитель;

4) повторитель.

Минимальный коэффициент гармоник (уровень нелинейных искажений) имеет усилитель, работающий

1) в режиме А;

2) в режиме В;

3) в режиме АВ.

40. Коэффициент усиления по напряжению K_u усилителя, схема которого приведена на рисунке, определяется выражением

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

41. В схеме, представленной на рисунке, I_к = b · I_б < I_{к max}. Это соответствует состоянию, когда транзисторный ключ

Eп

Uвых

1) разомкнут;

2) замкнут и не насыщен;

3) замкнут и насыщен;

4) находится в промежуточном состоянии (режим усиления).

Импульсное устройство, в котором амплитуда напряжения выходных импульсов может существенно превышать напряжение питания, называется

1) ждущий мультивибратор;

2) триггер Шмита;

3) блокинг-генератор;

4) годновибратор.

43. Транзисторный ключ, изображенный на рисунке, замкнут. Напряжение U_к равно

Eп

Uвых

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

44. Минимальная частота усиления сигнала в транзисторном усилителе переменного тока ограничивается параметрами:

1) емкостью разделительных конденсаторов С_р1, С_р2 и сопротивлениями R_вх, R_вых;

2) емкостью перехода С_бэтранзисторов и R_э;

3) емкостью перехода С_к^* транзистора и R_к.

4) паразитными емкостями резисторов и монтажа.

45. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. U₁ и U₂ представляют собой:

U2

U1

1) U₁ – падение напряжения на диоде, U₂– падение напряжения на нагрузочном резисторе;

2) U₁ – падение напряжения на нагрузочном резисторе, U₂ – падение напряжения на диоде;

3) U₁ – напряжение отпирания диода, U₂ – напряжение питания цепи.

4) U₂ – напряжение отпирания диода, U₁– напряжение питания цепи.

Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, рассеивается на диоде, определяется выражением

U

U2

U1

1) ;

2) ;

3) ;

4) ;

5) .

47. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, потребляемая всей цепью (диод и нагрузочный резистор), определяется выражением

U2

U1

1) ;

2) ;

3) ;

4) ;

5) .

48. Из усилительных каскадов одновременно имеет K_u > 1 и К_i >1

1) только ОБ;

2) только ОК;

3) только ОЭ;

4) ОБ и ОК;

5) ОК и ОЭ.

Семейство выходных ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ, приведено на рисунке; рабочей точкой является точка А. Мощность, рассеиваемая на транзисторе, определяется выражением

	UА		E

1) ;

2) ;

3) ;

4)