Справочные данные диодов и транзисторов

5.2.1 Эксплуатационные данные стабилитронов.

Таблица 2

Тип стабилитрона	UСТ В	Imin мA	Imax мA	PДОП мВт	ξ %/оС	rД Ом
КС107А	0,7				– 0,082
КС130А	3,0				– 0,07
КС131А	3,1				– 0,067
КС135А	3,5				– 0,065
КС138А	3,8				– 0,062
КС140А	4,0				– 0,06

Таблица 2. Продолжение.

КС142Б	4,2				– 0,05
КС147А	4,7				– 0,02
КС156Б	5,6				+ 0,02
КС168Б	6,8				+ 0,03
КС170А					0,05
2С190Б					0,065
КС210А					0,075
КС210В					0,078
КС212В					0,080
КС213Б					0,085
КС213Г					0,088

5.2.2 Транзисторы малой мощности германиевые и кремниевые p-n-p-типа

Таблица 3

№	Тип транзистора	IK мА	UKЭ В	В	РК мВт	Тип транзистора	IK мА	UKЭ В	В	РК мВт
	ГТ108Б					КТ104Б
	ГТ115Б					КТ104Г
	ГТ305А					КТ203Г
	ГТ305В					КТ203В
	ГТ308А					КТ343А
	ГТ308В					КТ343В
	ГТ309А					КТ349А
	ГТ310Б					КТ349Б
	ГТ320А					КТ351Б

5.2.3 Транзисторы средней мощности германиевые и кремниевые.

Таблица 4

№	Тип транзистора	IK мА	UKЭ В	В	РК Вт	Тип транзистора	IK мА	UKЭ В	В	РК Вт
	ГТ404А				1,6	КТ603Б				1,5
	ГТ404Б				1,6	КТ604				1,4
	ГТ404Г				1,5	КТ605				1,5
	ГТ612А				1,4	КТ608Б				1,5
	ГТ612Б				1,8	КТ616Б				1,3
	ГТ612Г				1,9	КТ617А				1,5
	ГТ614А				1,1	КТ611В				1,8
	ГТ614В				1,0	КТ618А				1,5
	ГТ618А				1,2	КТ503Б				1,5

5.2.6 Тиристоры управляемые.

Таблица 5

№	Тип диода	IА мА	UА В	IУПР мА	РА Вт
	КУ101В				0,15
	КУ101Г				0,2
	КУ103А				0,15
	КУ103В				0,2
	КУ201А
	КУ201Б
	КУ201Д
	КУ201Г

5.2.7 Светоизлучающие диоды.

Таблица 6

	Тип диода	IПР мА	UОБР В	UПР B	Цвет свечения
	АЛ102A			3,2	Красный
	АЛ102Б			4,5	Красный
	АЛ102В			4,5	Красный
	АЛ301Б			3,8	Красный
	3Л102Б			3,8	Красный
	АЛ304В				Зеленый
	КЛ101A			5,5	Желтый
	КЛ101Б			5,5	Желтый

5.3 Вольт-амперные характеристики транзисторов средней мощности Р_Кдоп<3 Вт.

5.3.1 Вольт-амперные характеристики кремниевых транзисторов.

IК мА

1,5

UБЭ ,В

2,0

1,0

0,5

0,7

0,8

UКЭ=5 В

UКЭ,В

ΔIБ= 0,4 мА

Входная и выходная характеристики транзистора КТ604

0,9

IБ = 1,8 мА

2,2

1,4

1,0

IБ,мА

1,2

IБ ,мА

UБЭ ,В

1,6

0,8

0,4

0,7

0,8

UКЭ=5 В

IК,мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 1,6 мА

2,0

1,2

0,8

Входная и выходная характеристики транзистора КТ605

1,2

IБ мА

UБЭ ,В

1,6

0,8

0,4

0,7

0,8

UКЭ=5 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 1,0 мА

1,2

0,8

0,6

Входная и выходная характеристики транзистора КТ618А

1,5

IБ мА

UБЭ ,В

2,0

1,0

0,5

0,7

0,8

UКЭ=5 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 1,2 мА

1,5

0,9

0,6

Входная и выходная характеристики транзистора КТ503Б

2,4

IБ мА

UБЭ ,В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

UКЭ=5 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 2,1 мА

2,8

1,4

0,7

3,5

Входная и выходная характеристики транзистора КТ616Б

1,8

IБ мА

UБЭ ,В

2,4

1,2

0,6

0,7

0,8

UКЭ=10 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 1,8 мА

2,4

1,2

0,6

3,0

Входная и выходная характеристики транзистора КТ603Б

2,4

IБ мА

UБЭ ,В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

UКЭ=10 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 1,8 мА

2,4

1,2

0,6

3,0

Входная и выходная характеристики транзистора КТ617А

2,4

IБ мА

UБЭ ,В

3,0

1,6

0,8

0,7

0,8

UКЭ=10 В

IК мА

UКЭ,В

0,9

IБ = 2,2 мА

3,0

1,4

0,6

3,8

Входная и выходная характеристики транзистора КТ630Б

5.3.2 Входные характеристики германиевых транзисторов средней
мощности типа n-р-n.

1,8

IБмА

2,4

1,2

0,6

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

1,2

IБмА

1,6

0,8

0,4

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

0,9

IБмА

1,2

0,6

0,3

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

ГТ403А

П602И

ГТ403Б

1,5

IБ мА

UБЭ ,В

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

1,5

IБ мА

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

2,4

IБ мА

UБЭВ

3,2

1,6

0,8

0,1

0,2

UКЭ=5 В

ГТ402Д

ГТ601А

UБЭ ,В

0,3

ГТ402И

2,4

IБмА

3,2

1,6

0,8

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

1,5

IБмА

2,0

1,0

0,5

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

1,8

IБмА

2,4

1,2

0,6

0,1

0,2

UКЭ=5 В

0,3

UБЭВ

ГТ403И

П602Б

П605А

ЛИТЕРАТУРА:

Основная:

1. Ямпурин Н.П. Электроника: учебное пособие для вузов. – М.: Академия, 2011.

2. Щука А. А. Электроника: учеб. пособие для вузов / А. А. Щука; под ред. А. С. Сигова .- СПб. : БВХ - Петербург, 2006.

3. Гусев В. Г. Электроника и микропроцесорная техника: учебник для вузов / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев .- 3-е изд., перераб. и доп.- М. : Высш. шк., 2005.

Дополнительная:

4. Ямпурин Н. П. Основы надежности электронных средств: учеб. пособие для вузов / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова ; ред. д-р техн. наук, проф. Н. П. Ямпурин .- М. : Академия, 2010.

5. Горошков Б. И. Электронная техника: учеб. пособие для ссуз / Б. И. Горошков, А. Б. Горошков .- 2-е изд., стереотип.- М. : Академия, 2008.

6. Жаворонков М. А. Электротехника и электроника: учеб. пособие для вузов / М. А. Жаворонков, А. В. Кузин .- 2-е изд., стереотип.- М. : Академия, 2008

7. Игумнов Д. В. Основы полупроводниковой электроники : учеб. пособие для вузов .- М. : Горячая линия - Телеком, 2005.

8. Ушаков П.А.Электронная техника,2006.

9. Кучумов А. И. Электроника и схемотехника: учеб. пособие для вузов / А. И. Кучумов .- 2-е изд., перераб. и доп.- М. : Гелиос АРВ, 2004.

10. Бобровников Л. З. Электроника: учебник для вузов / Л. З. Бобровников .- 5-е изд., перераб. и доп.- СПб. : Питер, 2004.

11. Опадчий Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника: полный курс : учебник для вузов / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина .- М. : Горячая линия - Телеком, 2005.

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Ряды номинальных сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов по гост 28884–90 (МЭК 63–63)

Номинальные сопротивления резисторов и ёмкостей конденсаторов постоянной ёмкости с допускаемыми отклонениями ±5% и более должны соответствовать числам, приведённым в таблице, и числам, полученным путём умножения этих чисел на 10 ⁿ, где n – целое положительное или отрицательное число.

Обозначение рядов
Е24	Е12	Е24	Е12
Допуск ±5%	Допуск ±10%	Допуск ±5%	Допуск ±10%
1,0	1,0	3,3	3,3
1,1	3,6
1,2	1,2	3,9	3,9
1,3	4,3
1,5	1,5	4,7	4,7
1,6	5,1
1,8	1,8	5,6	5,6
2,0	6,2
2,2	2,2	6,8	6,8
2,4	7,5
2,7	2,7	8,2	8,2
3,0	9,1

Номинал 1,2. Это может быть 12 Ом, 120 Ом, 1,2 кОм и т.д.

Постоянные резисторы общего назначения могут работать в цепях постоянного и переменного токов. Наиболее распространены резисторы типа МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие). Их новое обозначение – резисторы С2-6. Маркировка резисторов – МЛТ-0,5 ±5%. Здесь 0,5 – допустимая мощность рассеивания в ваттах, ±5% –максимально допустимое отклонение от номинального параметра (ряд Е24). Ту же конструктивную форму и габариты имеют резисторы С2-6, МT, МТЕ, С2-23. Резисторы МТЕ имеют повышенную теплостойкость, а С2-23 - более жесткий допуск на величину сопротивления.

Приложение 2

Пример оформления титульного листа

Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» УрТИСИ

Кафедра общепрофессиональных дисциплин технических специальностей

СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ

Курсовая работа по дисциплине "Электроника"

Пояснительная записка

210700 000 000 014 ПЗ

Вариант № 7

Руководитель		В.И. Паутов
канд. техн. наук, доцент
Студент группы ВЕ-91б		А.И. Калинин

Екатеринбург 2012

Приложение3

Основная надпись схемы электрической принципиальной

Проверил

Разработал

Утвердил

Н. контр.

Изм.

Лист

№ документа

Подпись

Дата

Литера

Лист 1

Листов 1

Т. контр.

Масса

Масштаб

210312 000000 014 Э3

Калинин А.И. С.И.ПетровС.И.ПетровС.И.Петров

Стабилизатор напряжения Курсовая работа

Кафедра ОПД УрТИСИ Гр. ВЕ–91б

Приложение 4

Пример оформления перечня элементов схемы электрической

Поз. обозн.	Наименование	Кол.	Примечание
	Конденсаторы
С1	Конденсатор К73-11 – 160 В – 1 мкф ± 10% ОЖО.461093 ТУ
С2, С3	Конденсатор МБМ-160-0,5 ТУ УБО 462 014
…
	Резисторы
R1	Резистор МЛТ-1-300 Ом А ТУ ОЖО 467 003
R2, R3	Резистор МЛТ-0,5-2,4 кОм А ТУ ОЖО 467 003
…
	Транзисторы
VT1	КТ615А ТУ ОЖО 467 003
…
	Диоды
VD1	КС156А ТУ ОЖО 467 003
…

Перечень элементов заканчивается основной надписью.